반도체 선도기업 세계최초기록 2제- 기가sim카드,65나노 노어 플래시

◆삼성전자 낸드 가입자식별모듈(SIM)카드 1GB 제품 공개 　삼성전자가 낸드 플래시 메모리를 이용해 가입자 식별 모듈(SIM) 카드에서 기가바이트(GB) 시대를 세계 최초로 열었다. 　삼성전자(대표 윤종용)는 지난 6월 세계 최초로 1GB S-SIM 카드 솔루션을 개발하고 유럽의 스마트카드 전문업체와 협력해 검증을 완료했다고 8일 밝혔다. 　세계 최대 스마트카드 전시회인 ‘카르테 2006’에서 공개된 이 제품은 낸드 플래시를 탑재한 세계 최대 용량의 1GB S-SIM 카드 솔루션으로 기존 SIM 카드를 한 차원 높인 차세대 제품으로 평가 받고 있다. 　삼성전자 시스템LSI 사업부의 정칠희 전무는 “1GB S-SIM은 역동적인 모바일·IT 환경을 위한 최적의 기술과 솔루션을 제공하고자 하는 삼성전자의 기술 리더십과 비전을 보여주는 것”이라며 “내년에는 2GB 이상의 S-SIM 개발을 통해 GB급 포트폴리오를 다양화함으로써 지속적으로 시장을 선도해 나갈 계획”이라고 말했다.

삼성전자의 1GB S-SIM은 시스템 인 패키지(SiP) 기술을 채택해 기존의 SIM 카드용 스마트카드 칩과 낸드 플래시, 고속 인터페이스 기능을 하나로 통합한 획기적인 제품이다. 　삼성전자는 지난 2004년에 128메가바이트(MB) S-SIM 카드 솔루션을 개발해 메가-SIM 시대도 가장 먼저 열었다. 　심규호기자@전자신문, khsim@etnews.co.kr ◆인텔, 65나노 노어 플래시 MLC 양산 　인텔은 ‘2006 서울 인텔개발자회의(IDF)’에서 세계 최초로 65나노미터(㎚) 1Gb 노어 플래시 멀티레벨셀(MLC) 양산에 들어갔다고 8일 밝혔다. 이에 따라 삼성전자가 지난 7월 양산을 시작한 60나노대의 낸드 플래시와 노어 진영 간 경쟁에 불이 붙게 됐다. 　65나노 제품은 최대 용량이 512Mb인 기존 90나노 노어 플래시 제품보다 용량을 두 배로 확대할 수 있기 때문에 이번 양산으로 낸드 플래시가 장악한 대용량 시장까지 진출할 수 있을 것으로 관측된다. 이 제품은 400만 화소 카메라와 MP3, SD급 비디오를 지원한다. 인텔이 개발 중인 45나노 제품은 최대 2Gb의 용량에 500만 화소 카메라와 HD 비디오까지 지원해 같은 분야에서 낸드 플래시와 정면으로 겨룰 수 있을 것으로 보인다. 　이 제품은 인텔의 스트라타플래시셀룰러메모리(M18) 아키텍처를 기반으로 개발됐으며, 기존 90나노 기반 플래시와 호환이 돼 휴대폰 제조업체가 쉽게 작업 공정을 전환할 수 있게 했다. 또 읽기 능력이 133㎒, 쓰기 속도는 최대 초당 1.0MB여서 이전 세대 제품에 비해 속도가 두 배가량 빨라졌다. 　인텔 다린 빌러벡 부사장은 “4Gb 이상에서는 낸드 플래시가 독주하겠지만, 그 이하는 가격이 저렴한 노어 진영이 장악할 것”이라며 “현재 노어 플래시 기반 휴대폰이 95% 이상이며, 대용량 콘텐츠를 저장할 수 있는 65나노 노어 플래시 양산으로 노어 분야 성장이 더욱 기대된다”고 말했다. 　문보경기자@전자신문, okmun@etnews.co.kr ○ 신문게재일자 : 2006/11/09