삼성전자 40나노 32기가 낸드플래시 상용개발

삼성전자, 반도체 기술한계 극복했다

황창규 삼성전자 반도체총괄 사장이 11일 서울 장충동 신라호텔에서 열린 반도체정책발표회에서 신개념 CTF 낸드기술 개발과 상용화 성공 발표와 함께 이 기술을 적용한 40나노 32기가 낸드플래시 등 최첨단 반도체 신제품을 소개하고 있다. 세계 낸드플래시 ‘시장’에서 도시바를 따돌린 삼성전자가 ‘기술’에서도 종주기업 도시바를 뛰어넘었다. 삼성전자는 이 기술을 바탕으로 40나노 32기가 낸드플래시를 상용 개발, 2000년 발표한 메모리신성장론(황의 법칙)을 7년 연속 입증하는 쾌거도 올렸다. 　황창규 삼성전자 반도체총괄사장은 11일 신라호텔에서 기자간담회를 갖고 “반도체 기술의 한계를 극복한 신개념 CTF(Charge Trap Flash) 낸드기술 개발과 상용화에 세계 최초로 성공했다”고 밝혔다. 　이번 개발한 기술은 35년간 사용된 전통 낸드플래시 기술을 완벽하게 대체할 신개념의 나노 반도체 공정기술로, 이 기술 개발로 삼성전자는 적어도 2010년까지 ‘황의 법칙’을 이어갈 기반을 다지며 기가를 넘어 테라비트시대를 예약했다. 특히 CFT낸드기술은 지금까지 낸드플래시가 만들어 온 시장의 10배가 넘는 250조원 규모의 신규시장 창출을 가능케 하는 신개념 기술이어서 세계 반도체업계 이목이 집중되고 있다.

황 사장은 “이 기술은 지난 30년간 반도체업계가 이론을 상용화하기 위해 노력해 왔으나 실현하지 못한 것”이라며 “이번에 장비·재료·공정 등의 한계를 극복해 당장 상용화 가능한 수준의 샘플 개발에 성공할 수 있었다”고 강조했다. 　신개념 CTF기술은 1971년 비휘발성 메모리가 첫 개발된 이래 35년간 상용화에 적용돼 온 ‘플로팅 게이트’ 기술의 한계를 극복한 혁신적인 기술로 나노 공정의 한계인 50나노 장벽을 허물고 40나노 이후의 차세대 나노공정 상용화 가능성을 제시한 데 큰 의미가 있다. 　신기술을 적용해 개발한 40나노 반도체 기술은 머리카락 굵기 3000분의 1의 초미세 기술이며, 32기가 메모리 용량은 세계 인구 65억명의 5배에 해당하는 328억개의 메모리 기본 소자가 한 개의 오작동 없이 엄지 손톱만 한 크기에 집적돼 있음을 의미한다. 　황 사장은 “CTF 기술에 대한 5년간의 연구 활동을 통해 155개의 원천특허와 개량특허를 확보하면서 업계 최초로 상용화에 성공함으로써, 삼성 독자 기술로 반도체 기술을 선도하고 경쟁사와 기술 격차도 더욱 벌릴 수 있게 됐다는 데 큰 의미가 있다”고 강조했다. 　심규호기자@전자신문, khsim@etnews.co.kr ○ 신문게재일자 : 2006/09/12        ‘차세대, 차차세대 모두 황의 법칙이 끌어간다’ 　이번 삼성전자가 발표한 신기술 ‘차지 트랩 플래시(CTF)’는 한계로 여겨졌던 40나노 벽을 깨면서, 차세대 낸드플래시가 최소한 테라비트시대까지는 용량의 한계를 극복해 나갈 수 있다는 확신을 심어준 쾌거다. 이미 7년 연속 ‘황의 법칙’을 실증해 보인 낸드플래시는 삼성전자 대용량 메모리시장 전략의 한 축으로 당분간 이어질 전망이다. 　삼성전자가 이와 함께 발표한 초대용량 차차세대메모리 512Mb P램은 비교적 작은 용량 시장, 즉 기존 노어플래시가 잡고 있는 휴대폰·모바일시장을 석권할 것으로 예상된다. 삼성전자는 512Mb P램을 2008년부터 본격 양산한다. 이는 P램에도 ‘황의 법칙’이 본격 적용되는 것을 의미한다. 삼성전자는 작년 세계 최초로 256Mb P램을 개발한데 이어 올해에는 512Mb, 2007년 1Gb, 2008년 2Gb를 개발, 차세대 메모리인 P램에서도 매년 2배 이상 성장한다는 ‘황의 법칙’ 실현에 도전한다. 　황창규 삼성전자 반도체총괄사장은 “이제 낸드의 최대용량화는 CTF로 인해 길이 다져지고, 노어는 P램의 획기적 속도로 인해 새로운 시장이 만들어질 것”이라며 “삼성전자 미래 메모리시장 전략의 핵심은 이들 두 기술(제품)이 열어가는 시장과, 기존 D램이 다져 놓은 시장을 완벽하게 컨트롤하는 것”이라고 강조했다. 　11일 기자간담회를 통해 소개된 삼성전자의 메모리 제품군은 D램을 제외한 삼성전자 주력제품이 망라돼 있다. △세계 최초 40나노 32기가 낸드플래시 △세계 최대용량 512메가 P램 △세계 최초 신개념 하이브리드 드라이브용 SoC 등은 모두 올해를 대표하는 최첨단 반도체 신제품으로 기록될 전망이다. 　대용량시장을 겨냥한 32기가 낸드플래시가 양산되는 2008년에는 MP3 음악 파일 8000곡 을 저장할 수 있는 32기가바이트 MP3 출시가 가능하며, 128기가 바이트 솔리드 스테이트 디스크(SSD)로 기존 1.8인치 HDD를 완전히 대체하는 등 IT분야의 성장과 변화를 주도할 전망이다. 또 삼성전자가 이번에 개발 성공한 세계 최대용량 512Mb P램은 2008년부터 노어플래시를 급속히 대체하면서 ‘10년 이후 삼성 메모리의 미래 신성장 엔진 역할을 담당할 것’으로 예상된다. P램은 코드 및 데이터 저장용으로 사용되는 플래시 계열 메모리의 장점을 두루 갖춘 차세대 메모리 제품으로 ‘퍼펙트 램’이라는 닉네임을 가지고 있다. 　이와 함께 발표된 세계 최초 신개념 하이브리드 드라이브용 SoC는 삼성전자 시스템LSI사업부와 메모리사업부가 개발한 메모리·시스템LSI시너지 제품으로 하이브리드 드라이브의 구동을 지원하는 업계 최고 성능의 제품이다. 　황사장은 “삼성은 단지 제품 개발뿐만 아니라, 남보다 앞서 신시장 창출에 노력하고 있으며, 이것이 경쟁 업체들과의 차별화된 경쟁력”이라며 “지난해가 플래시 러시(Flash Rush)의 해였다면, 올해는 새로운 디지털 세상을 여는 ‘플래시토피아’ 로의 진입을 준비하는 첫 해로 기록될 것”이라고 강조했다. 　 　 심규호기자@전자신문, khsim@etnews.co.kr ○ 신문게재일자 : 2006/09/12        삼성전자 낸드플래시 상용화 쾌거 (사설)

삼성전자가 세계 최초로 신개념의 ‘CTF’ 낸드 기술을 개발하고 40나노 32기가 낸드플래시의 상용화에 성공했다. 세계 최초로 4세대 이동통신 기술 공개시연에 성공한 바 있는 삼성전자가 이번에 차세대 반도체 분야에서도 대단한 기술적 성과를 거뒀다는 점은 반가운 일이다. 삼성전자의 이런 성과는 반도체 강국 한국의 위상을 세계에 거듭 확인시켜 준 쾌거라고 하겠다. 　삼성전자가 상용화에 성공한 CTF 신기술은 지난 71년 비휘발성 메모리가 처음 개발된 이래 35년 간 상용화에 적용돼 온 ‘플로팅 게이트’ 기술의 한계를 극복한 혁신적인 것이라고 한다. 한마디로 반도체 나노기술의 새 이정표를 세웠다고 할 수 있다. 　우리가 기술적으로 앞서야 새로운 시장 개척에 유리하고 미래 성장기반을 다질 수 있다. 삼성전자는 이런 사실을 입증한 기업이다.

지난 90년대 D램 세계 1위에 등극한 이후 한국경제 호황을 주도한 ‘제1의 물결’과 첨단 낸드플래시 개발로 ‘플래시 러시’를 선도한 ‘제2의 물결’에 이어 이번 CTF 기술 개발로 ‘테라 시대’라는 ‘제3의 물결’을 이끄는 계기를 마련했기 때문이다. 특히 삼성의 이런 반도체 성과는 관련 분야의 발전에도 기여하고 있다. PC·서버·네트워크 장비 등 PC 주도의 인터넷시대 도래와 대중화를 앞당기고 디지털카메라·MP3·휴대폰 등 각종 IT 제품의 고성능화, 컨버전스화, 초슬림화, 모바일화를 지원해 왔던 것이다. 　이번 CFT 낸드 기술은 지금까지 낸드플래시가 만들어 온 시장의 10배가 넘는 250조원 규모의 신규시장 창출을 기대할 수 있다고 한다. 실로 엄청난 시장규모가 아닐 수 없다. 　삼성전자의 이번 기술적 성과는 첨단 기술 없이 새로운 시장 선점은 기대할 수 없다는 사실을 보여준다. 황창규 삼성전자 사장은 이날 기자회견에서 “CTF 기술에 대한 5년간의 연구 활동을 통해 155개의 원천특허와 개량특허를 확보하면서 업계 최초로 상용화에 성공함으로써 삼성 독자 기술로 반도체 기술을 선도하고 경쟁사와 기술 격차도 더욱 벌릴 수 있게 됐다”고 말했다. 황 사장은 또 “삼성은 단지 제품 개발뿐만 아니라 남보다 앞서 신시장 창출에 노력하고 있으며 이것이 경쟁 업체들과의 차별화된 경쟁력”이라고 역설했다. 　황 사장의 말처럼 경쟁업체들과의 차별화된 경쟁력은 앞선 기술력 없이는 불가능하다. 이런 점에서 삼성은 반도체 분야에서 또 미래 신성장 동력을 확보한 셈이다. 무엇보다 원천기술을 비롯한 해당 분야 최고의 기술력을 확보해야 세계시장을 선도할 수 있는 법이다. 삼성전자가 반도체나 통신 분야에서 세계시장을 선도하고 우리 나라 수출의 효자 노릇을 톡톡히 하는 것도 기술력에서 경쟁업체보다 앞서 있기 때문이다. 모든 기업이 오늘 기술개발에 경쟁업체보다 더 많이 투자하지 않는다면 치열한 국가 간 기술경쟁에서 조만간 탈락할 수밖에 없다는 점을 인식해야 한다. 기업이 기술개발에 투자를 기피할 경우 시장에서 밀려나는 것은 시간문제일 뿐이다. 　지금 세계 시장에서 제품 주기는 갈수록 단축되는 추세다. 어제의 기술은 오늘 구식 기술로 밀려난다. 시장의 변화도 가파르다. 이런 시대적 추세를 기술이 미리 대응하지 못하면 그 기업은 시장에서 퇴출당하고 만다. 삼성처럼 모든 기업이 지속적인 기술개발로 새로운 시장을 창출해 나가야 기업도 성장하고 나아가 국가 경제도 발전할 수 있다. ○ 신문게재일자 : 2006/09/12           이은용 기자의 나노 돋보기   ‘전자회로 선(wire)을 얼마나 가늘게 뽑아 이리저리 잘 늘어놓느냐’는 실리콘 계열 반도체 산업계 최대 화두다. 과학기술자들은 그동안 상용 실리콘 계열 반도체 제조공정의 선폭 한계점을 50나노(10억분의 1)미터로 여겼다. 하지만 수년전부터 선폭 한계가 무너질 조짐을 보이더니, 11일 삼성전자가 ‘40나노 32기가(G) 낸드플래시 메모리’를 개발했다고 발표했다. 320억개 메모리 기본소자를 엄지 손톱 만한 조각(칩) 위에 담아낸 것. 이는 두 시간 안팎의 영화 20편, 웬만한 일간신문 200년치를 담아낼 정도다. 그 엄청난 양(메모리)을 작은 칩 위에 담기 위해 전자회로 선폭을 40나노미터(㎚)로 줄였다. 말로 하기에는 쉽지만 선폭 40㎚ 짜리 회로를 설계하려면, 굵기가 보통 100마이크로(100만분의 1)미터인 머리카락을 3000분의 1로 쪼갤 수 있는 기술이 필요하다. 과학기술자들은 더 작은 공간을 내다본다. 실험실 안에서 일어난 일이긴 하지만, 선폭을 15∼20㎚로 단위 소자를 구성한 데 이어 머리카락을 10만분의 1로 쪼개놓을 정도인 선폭 1㎚ 이하로 내려가 지름 0.4㎚ 짜리 나노선(nanowire)을 개발했다. 1㎚에는 원자 2∼4개 정도를 늘어놓을 공간밖에 없다. 사실 수 ㎚ 이하로는 언제쯤 현실화할 지를 예측하기가 어렵다. 아예 현실화가 가능할 지조차 확신할 수 없지만, 최근 미 하버드대 찰스 리버 박사팀은 실리콘 나노선을 생물체 뇌신경에 연결해보기도 했다. 나노선이 얇아질수록 쓰임새가 넓어질 것이다. 나노선이 실험용 동물 뇌를 거쳐 사람에게 이식되면 ‘삶의 이상향’에 가까워질 것이다. 물론 몸 안에서 나노선이 독으로 변하지 않을 안전장치부터 확보하고 나서다. ○ 신문게재일자 : 2006/09/12